压电表示压电元件（PiezoelectricElement、Piezoelectric Device），压电元件是指通过施加力（压力）产生电压（压电效应），或与之相反，通过施加电压产生变形（逆压电效应）的元件。

　　压电元件使用具有压电效应的压电材料。施力时，（+）正离子、（-）负离子的位置会移动，产生（+）和（-）电荷的偏移（电极化），从而产生电压。

　　罗姆采用的是使用锆钛酸铅（PZT）的薄膜压电。 PTZ取自元素符号（PbZrxTi1-xO3）（0x1）的首字母，压电性能非常强，称得上是压电元件的主角。

　　大致将厚度约为几μm的叫作薄膜压电（压电薄膜），几十μm以上的叫作块体压电（厚膜压电）。 利用薄膜压电可以实现元件的小型化、集成化、高精度化、低功耗化。

　　罗姆的薄膜压电MEMS代工为实现融合自有薄膜压电和LSI微细加工技术的小型、节能、高性能产品，提供从试制、开发到量产的全程支持。

　　MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微机电系统）的缩写，具有微小的立体结构（三维结构），是处理各种输入、输出信号的系统的统称。 是利用微细加工技术，将机械零零件、电子电路、传感器、执行机构集成在一块电路板上的高附加值元件。

　　SOI是Silicon On Insulator的缩写，是指在氧化膜上形成了单晶硅层的硅晶圆。已广泛应用于功率元件和MEMS等，在MEMS中可以使用氧化膜层作为硅蚀刻的阻挡层，因此能够形成复杂的三维立体结构。

　　TAIKO磨削是DISCO公司开发的技术，在磨削晶圆时保留最外围的边缘，只对其内侧进行磨削。

　　TAIKO磨削与通常的磨削相比，具有“晶圆曲翘减少”、“晶圆强度更高”、“处理容易”、“与其他工艺的整合性更高”等优点。

　　直接键合不使用粘合剂等，是利用热处理产生的分子间力使晶圆相互粘合的键合，用于制作SOI晶圆等。 通过中间层键合是借助粘合剂等使晶圆互相粘合的键合方法。

　　通过在低真空中放电使等离子体产生离子等粒子，利用该粒子进行蚀刻的技术称为反应离子蚀刻。 等离子体中混合存在着携带电荷的离子和中性的自由基，具有利用自由基的各向同性蚀刻、利用离子的各向异性蚀刻两种蚀刻作用。

　　通过重复进行Si蚀刻⇒聚合物沉积⇒底面聚合物去除，可以进行纵向的深度蚀刻。 侧壁的凹凸因形似扇贝，称为“扇贝形貌”。

　　ALD是Atomic Layer Deposition（原子层沉积）的缩写，是通过重复进行材料供应（前体）和排气，利用与基板之间的表面反应，分步逐层沉积原子的成膜方式。 通过采用这种方式，只要有成膜材料可以通过的缝隙，就能以纳米等级的膜厚控制，在小孔侧壁和深孔底部等部位成膜，在深度蚀刻时的聚合物沉积等MEMS加工中形成均匀的成膜。

　　罗姆的薄膜压电MEMS代工运用自身拥有的先进薄膜压电技术和MEMS加工技术，以及得到了量产业绩印证的先进生产技术，为实现小型、节能、高性能产品，提供从试制、开发到量产的全程支持。

　　MEMS:Micro Electro Mechanical Systems的缩写。具有微小的立体结构（三维结构），是处理各种输入、输出信号的元件、系统的统称。

　　TAIKO磨削:磨削晶圆时保留最外围的边缘，只对其内侧进行磨削的技术 ＊“TAIKO”是DISCO株式会社的商标